[Forrige artikkel]               [CW hjemmeside]              [Neste artikkel]

Materialteknikk kan gi brikkeløft

Silisium har i årtier dominert mikro-elektronikken, mest synlig i mikroprosessorene. Nå banker en slektning på døren. Silisiumkarbid (SiC) lover alt fra høyere driftstemperatur, og dermed større kretskomprimering, til høyere driftsspenninger. Diamanthardt SiC er ikke noe nytt materiale. Allerede i dag fins materialet i visse lysdioder. I neste omgang kommer felteffekt-transistorer (FET) og andre halvlederkomponenter egnet for høye driftspenninger og driftstemperaturer. Det er snakk om kilovolt-området, kV, og driftstemperaturer opp mot 600 grader, mot 150 grader for vanlig silisium.

I første omgang fokuserer man på nye komponenter innen kraftelektronikken, samt føler-elementer innen prosesstyring, i forbrenningsmotorer og i utstyr for dyphullsmåling offshore.

Den dag store prosessorbrikker og andre datakretsbrikker leveres i SiC-versjon, åpner det seg muligheter for ytterligere komprimering og redusert mønstertetthet. Da blir fangmaskinene heite saker! (ML) 

   [Image map not available]
Artikkel automatisk generert, 13/11-94, kl. 13.48 cw@oslonett.no